7N65F

El 7N65F es un transistor MOSFET de potencia de canal N en encapsulado aislado TO-220F. Nota aclaratoria: A pesar de que en ocasiones se le clasifica erróneamente en algunos catálogos como transistor NPN, no es un transistor bipolar (BJT) NPN, sino un MOSFET de conmutación de alta velocidad impulsado por tensión.

Especificaciones Eléctricas Principales

Tipo de Dispositivo: MOSFET Canal N de alta tensión (Power MOSFET).

Tensión Máxima Drenaje-Fuente (Vds): 650 V.

Corriente Continua de Drenaje (Id): 7.4 A (a 25 °C).

Corriente Pulsada de Drenaje (Idm): Hasta 29.6 A en impulsos cortos.

Resistencia en Estado Activo (Rds on): Típicamente 1.2 ohms (máximo 1.4 ohms a Vgs = 10 V).

Tensión Umbral de Puerta (Vgs th): 2.0 V a 4.0 V.

Carga Total de Puerta (Qg): Aproximadamente 28 nC.

Tensión Máxima Puerta-Fuente (Vgs): ±30 V.

Encapsulado y Configuración de Pines

Encapsulado: TO-220F (Full-Pack). Es la versión totalmente plástica / aislada del TO-220 convencional, lo que permite montarlo sobre disipadores metá

Distribución de Pines (vista frontal con las terminales hacia abajo):

Gate (Puerta / G): Pin 1

Drain (Drenaje / D): Pin 2

Source (Fuente / S): Pin 3

Fuentes de Alimentación Conmutadas (SMPS): Etapa de conmutación primaria en convertidores de potencia.

Cargadores de Batería y Adaptadores: Circuitos de entrada de alta tensión (110 V / 220 V CA).

Balastos Electrónicos: Control e iluminación de alta eficiencia.

Drivers de LED: Conmutación primaria en fuentes de corriente constante.