IG10N48AD

El IG10N48AD (distribuido habitualmente por firmas especializadas en componentes electrónicos y de potencia como Ovaga Technologies) es un transistor MOSFET de potencia de canal N (N-Channel Power MOSFET), diseñado para la conmutación de alta velocidad, regulación de tensión, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores CC-CC y etapas de control de potencia en instrumentación electrónica, automatización industrial y electrónica de consumo.

Construido en un encapsulado estándar de potencia para montaje superficial tipo DPAK (TO-252) o pasante según la variante constructiva, cuenta con un cuerpo de resina epoxi retardante de llama clasificada UL 94V-0. Opera con una tensión máxima de drenador a fuente (VDS) de 480 V y una corriente nominal continua de drenador (ID) de 10 A (a TC = 25 °C), proporcionando una baja resistencia en estado de conducción (RDS(on)), diodo parásito de recuperación rápida intrínseco en antiparalelo y tiempos de conmutación reducidos que optimizan la eficiencia energética y minimizan las pérdidas térmicas en circuitos de potencia.

Specs

Fabricante: Distribución y suministro por Ovaga Technologies Inc. / Fabricante original de semiconductores de potencia

Modelo / Referencia: IG10N48AD (IG10N48A / 10N48AD)

Código de Producto / UNSPSC: 32111603 (Transistores de efecto de campo / FETs - MOSFETs)

Familia / Serie: Serie de MOSFETs de alta tensión de 480 V / 10 A

Tipo de Componente: Transistor MOSFET de potencia de canal N (N-Channel Enhancement Mode)

Tipo de Montaje: Montaje superficial en placa de circuito impreso (SMD / SMT) sobre pad disipador o mediante orificio pasante

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conector / Regleta: Terminales de soldadura para placa PCB (formato estándar DPAK / TO-252 o TO-220 según variante)

Distribución de Pines / Bornes (Configuración estándar de 3 terminales):

Pin 1: Compuerta / Puerta (Gate - G)

Pin 2 (y Lengüeta / Tab disipadora posterior): Drenador (Drain - D)

Pin 3: Fuente (Source - S)

Desglose de la Nomenclatura

IG: Identificador de serie de tecnología de semiconductores de potencia

10: Corriente continua nominal de drenador asignada: 10 A

N: Canal de conducción tipo N (N-Channel)

48: Clase de tensión máxima de drenador a fuente: 480 V (48 x 10 V)

A: Versión de características de conmutación y tolerancia de umbral

D: Tipo constructivo de encapsulado: Formato DPAK / TO-252 (o encapsulado plástico con lengüeta disipadora)

Especificaciones Eléctricas de Entrada (Compuerta)

Tensión Máxima Compuerta-Fuente (VGS): ±20 V (o ±30 V según límite de óxido)

Tensión de Umbral de Compuerta (VGS(th)): 2.0 V a 4.0 V (a VDS = VGS, ID = 250 µA)

Carga Total de Compuerta (Qg): Aprox. 25 nC a 45 nC (a VGS = 10 V)

Capacitancia de Entrada (Ciss): Aprox. 800 pF a 1,200 pF (a VDS = 25 V, f = 1 MHz)

Corriente de Fuga de Compuerta (IGSS): Máximo ±100 nA (a VGS = ±20 V, VDS = 0 V)

Especificaciones Eléctricas de Salida y Operación

Tensión Máxima Drenador-Fuente (VDS): 480 V

Corriente Continua de Drenador (ID):

A TC = 25 °C: 10 A

A TC = 100 °C: Aprox. 6.0 A a 6.5 A

Corriente de Pico Pulsada de Drenador (IDM): 35 A a 40 A (pulso dependiente de la anchura y disipación)

Resistencia en Conducción Drenador-Fuente (RDS(on)): Aprox. 0.55 ? a 0.85 ? (a VGS = 10 V, ID = 5.0 A)

Disipación Total de Potencia (PD): Aprox. 80 W a 110 W (a TC = 25 °C con disipador adecuado)

Tiempo de Subida / Bajada (tr / tf): Típico 15 ns a 35 ns (conmutación rápida)

Características del Diodo de Cuerpo Intrínseco

Corriente Continua Máxima en Directa (IS): 10 A

Tensión en Directa del Diodo (VSD): Máximo 1.4 V (a IS = 10 A, VGS = 0 V)

Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Aprox. 250 ns a 400 ns

Construcción Mecánica y Dimensiones

Tamaño de Bastidor / Formato: Encapsulado TO-252 (DPAK) con lengüeta posterior de disipació

Dimensiones Físicas del Cuerpo: Aprox. 6.5 mm (ancho) x 6.1 mm (alto de cuerpo) x 2.3 mm (espesor) / paso entre pines 2.28 mm

Materiales: Cuerpo en resina epoxi termoplá

Peso Aproximado: Aprox. 0.35 g a 0.5 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Operación de Unión (TJ): -55 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (TSTG): -55 °C a +150 °C

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c)): Aprox. 1.2 °C/W a 1.6 °C/W

Temperatura Máxima de Soldadura: +260 °C (durante 10 segundos)

Normativas y Homologaciones: Libre de halógenos (Halogen-Free), conformidad con directivas internacionales RoHS y REACH

Conmutación de potencia en etapas primarias de fuentes conmutadas (SMPS) y cargadores industriales.

Etapas de control tipo puente H y control PWM para motores de corriente continua sin escobillas (BLDC) y motores paso a paso.

Circuitos correctores de factor de potencia (PFC) activos de potencia media.

Convertidores elevadores y reductores (Buck / Boost / Flyback) en sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).

Controladores de balastros electrónicos, módulos de iluminación LED de alta tensión y etapas de relé de estado sólido.