U2T201

El U2T201 de Unitrode (Unitrode Corporation / Microsemi / Texas Instruments) es un transistor Darlington de potencia NPN de silicio planar (NPN Silicon Power Darlington Transistor) encapsulado en un contenedor metálico hermético TO-66 de 3 pines, diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia media, etapas de salida de audio, amplificadores lineales, fuentes de alimentación lineales/conmutadas y controladores de relés, solenoides y motores de paso.

Fabricado mediante una estructura monolítica planar de triple difusión (Triple-Diffused Planar Construction) con tecnología de múltiples emisores y resistencias internas de polarización base-emisor integradas, ofrece una ganancia de corriente continua muy alta (hFE mínimo de 1,000 a 2,000 a 5 A) combinada con una baja tensión de saturación colector-emisor. Soporta una tensión colector-emisor en bloqueo de 80 V a 150 V, una corriente continua de colector de 5 A con picos de hasta 10 A, y una disipación total de potencia de 25 W a una temperatura de encapsulado de hasta 25 °C, garantizando una respuesta eficiente y simplificación de circuitos excitadores previos (pre-drivers).

Specs

Fabricante: Unitrode Corporation (adquirida posteriormente por Texas Instruments / segundas fuentes: Microsemi, New Jersey Semiconductor)

Modelo / Referencia: U2T201 (serie relacionada: U2T101, U2T105, U2T205)

Código de Producto / UNSPSC: 32111600 (32111603 / Transistores bipolares / Darlington Transistors)

Familia / Serie: Serie U2T / Power Darlingtons

Tipo de Componente: Transistor Darlington de potencia NPN de silicio (NPN Power Darlington Transistor)

Tipo de Montaje: Montaje pasante en chasis / disipador térmico (Through-Hole Chassis / Heatsink Mount) mediante brida con 2 orificios de fijación

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Encapsulado: Estándar hermético metálico TO-66 (cápsula tipo diamante compacta de 2 pines + carcasa)

Distribución de Pines / Terminales:

Pin 1: Base (B)

Pin 2: Emisor (E)

Carcasa / Brida metálica (Case): Colector (C)

Desglose de la Nomenclatura

U: Identificador de fabricante Unitrode Corporation

2: Configuración interna / circuito monolítico Darlington NPN

T: Transistor de silicio de potencia (Transistor)

2: Tamaño de encapsulado metálico TO-66 (a diferencia de la serie 1 que utiliza TO-33/TO-5)

01: Grado de tensión y ganancia nominal estándar (tensión de bloqueo VCER / VCEO nominal de 80 V a 150 V según condición de polarización)

Especificaciones Eléctricas Absolutas (Absolute Maximum Ratings)

Tensión Colector-Emisor (VCER / VCEO): 80 V a 150 V (según resistencia de base RBE = 100 ? a 2.2 k?)

Tensión Emisor-Base (VEBO): 6.0 V a 12 V

Corriente Continua de Colector (IC): 5.0 A

Corriente de Pico de Colector (ICM): 10.0 A

Corriente de Base Continua (IB): 0.5 A

Disipación Total de Potencia (PD):

A temperatura ambiente (TA = 25 °C): 2.5 W

A temperatura de carcasa (TC = 25 °C): 25 W

Desclasificación de Potencia (Derating Factor): 0.20 W/°C por encima de TC = 25 °C

Características Eléctricas y Parámetros Dinámicos

Ganancia de Corriente Continua (hFE): Mínimo 1,000 a 2,000 (a IC = 5.0 A, VCE = 5.0 V)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Máximo 1.5 V a 1.8 V (a IC = 5.0 A, IB = 5.0 mA a 10 mA)

Tensión de Saturación Base-Emisor (VBE(sat)): Máximo 2.0 V a 2.4 V (a IC = 5.0 A, IB = 5.0 mA)

Corriente de Fuga de Colector (ICER): Máximo 1.0 mA a 2.0 mA (a VCER nominal, 150 °C)

Frecuencia de Transición (fT): Típica 10 MHz a 20 MHz (a IC = 1.0 A, VCE = 10 V)

Configuración Interna: Pareja Darlington monolítica con diodo y resistencias integradas de descarga base-emisor

Resistencia Térmica y Propiedades Mecánicas

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rthj-c): 4.0 °C/W a 5.0 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Ambiente (Rthj-a): Aprox. 50 °C/W (al aire libre sin disipador)

Par de Apriete Recomendado: 0.6 N·m a 0.8 N·m (tornillos de fijación M3)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato Constructivo: TO-66 (JEDEC TO-213AA)

Material de la Carcasa: Acero / cobre estañado sellado herméticamente vidrio-metal

Dimensiones de la Brida: Aprox. 31.0 mm (longitud de orejeta a orejeta) x 17.5 mm (ancho máximo)

Distancia entre Orificios de Montaje: 24.3 mm entre centros

Diámetro de Orificios de Montaje: 3.6 mm a 4.0 mm (para tornillos M3 / pasantes)

Longitud de Pines: Aprox. 10.0 mm a 12.5 mm

Diámetro de Pines: Aprox. 0.76 mm a 0.86 mm

Peso Aproximado: Aprox. 5.0 g a 7.0 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Rango de Temperatura de Operación en la Unión (Tj): -65 °C a +200 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -65 °C a +200 °C

Estanqueidad: Sellado hermético para aplicaciones militares e industriales severas

Normativas: Conformidad con directrices de confiabilidad MIL-STD-750 (versiones industriales/militares estándar)

Etapas de conmutación de actuadores, solenoides inductivos, embragues electromagnéticos y válvulas.

Circuitos excitadores de potencia para motores paso a paso (Stepper Motor Drivers) y servomotores DC.

Amplificadores lineales de potencia de audio y etapas de salida push-pull complementarias.

Reguladores de tensión lineales paso a paso y reguladores en serie para fuentes de alimentación estabilizadas.

Conmutadores de alta velocidad para cabezales de impresión matricial, martillos y relés industriales.