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Features
SILICON N CHANNEL MOS TYPE
Low Drain-Source ON Resistance : RDS (ON) = 0.5 Ohms (Typ.)
High Forward Transfer Admittance : Yfs = 11S (Typ.)
Low Leakage Current : IDSS = 100uA (Max.) (VDS = 600V)
Enhancement-Mode : Vth = 2.0 - 4.0 V (VDS = 10V, ID = 1mA)
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
2SK2699
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- 2SK2699
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