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2SK3150
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2SK3150
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Features
Silicon N Channel MOS FET
Low on-resistance
RDS = 45 mOhms typ.
High speed switching
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
2SK3150
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- 2SK3150
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