IDW30C65D2XKSA1

El IDW30C65D2XKSA1 (referencia base IDW30C65D2 / familia CoolSiC) de Infineon Technologies es un diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) dual en configuración de cátodo común (Silicon Carbide Schottky Diode Generation 6), diseñado para aplicaciones de conmutación a muy alta frecuencia, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), etapas de corrección del factor de potencia (PFC) e inversores solares.

Diseñado para soportar una tensión inversa repetitiva de pico de 650 V y una corriente directa continua de 30 A total (2 x 15 A por rama a Tc = 100 °C), este semiconductor destaca por su comportamiento de recuperación inversa nulo (Zero Reverse Recovery Charge), conmutación independiente de la temperatura y bajísima tensión directa en conducción (VF típica de 1.25 V por rama a 25 °C). Se presenta en un encapsulado de potencia estándar para montaje pasante PG-TO-247-3, ofreciendo una alta eficiencia térmica y una temperatura máxima admisible de unión de hasta +175 °C.

Specs

Fabricante: Infineon Technologies (Alemania)

Modelo / Referencia Completa: IDW30C65D2XKSA1

Marcado en Componente: D3065D2

Familia / Serie: Serie CoolSiC™ Schottky Diode Gen 6

Tipo de Componente: Diodo Schottky de Carburo de Silicio (SiC) dual con cátodo común

Tipo de Encapsulado: PG-TO-247-3 (TO-247 estándar de 3 terminales pasantes)

Desglose de la Nomenclatura

IDW: Diodo de potencia Infineon en encapsulado TO-247

30: Corriente continua nominal combinada de 30 A (2 x 15 A)

C: Configuración de cátodo común (Common Cathode)

65: Clase de tensión inversa de 650 V

D2: Diodo Schottky de 6ª generación (Gen 6)

XKSA1: Código de empaquetado estándar industrial libre de plomo

Valores Máximos Absolutos (Por diodo / Por rama, salvo especificación)

Tensión Inversa de Pico Repetitiva (VRRM): 650 V

Tensión Inversa Continua de Bloqueo (VDC): 650 V

Corriente Directa Continua (IF):

Por rama a Tc = 100 °C: 15.0 A

Por rama a Tc = 25 °C: Aprox. 24.0 A

Total del dispositivo a Tc = 100 °C: 30.0 A

Corriente de Sobrecarga Directa No Repetitiva (IFSM, pulso senoidal de 10 ms): Aprox. 75 A a 90 A

Disipación Total de Potencia (Ptot por rama a Tc = 25 °C): Aprox. 86 W a 100 W

Temperatura de Unión en Operación (Tvj): -55 °C a +175 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Características Eléctricas Estáticas (Por diodo, Tvj = 25 °C)

Tensión Directa en Conducción (VF):

A IF = 15 A, Tvj = 25 °C: Típico 1.25 V / Máx. 1.35 V

A IF = 15 A, Tvj = 175 °C: Típico 1.50 V / Máx. 1.65 V

Corriente de Fuga Inversa (IR):

A VR = 650 V, Tvj = 25 °C: Típico 1.0 uA a 3.0 uA / Máx. 25 uA

A VR = 650 V, Tvj = 175 °C: Típico 15 uA a 30 uA

Características Dinámicas

Carga de Recuperación Inversa (Qc): Típico 23 nC a 27 nC (por rama a VR = 400 V, di/dt = 1000 A/us)

Capacitancia Total (C): Aprox. 450 pF (a VR = 1 V) / Aprox. 40 pF (a VR = 400 V)

Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Aprox. 0 ns (recuperación puramente capacitiva / Zero Reverse Recovery)

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) por diodo): Máx. 1.50 K/W a 1.75 K/W

Configuración de Pines (Pinout TO-247):

Pin 1: Ánodo 1 (Anode 1)

Pin 2: Cátodo común (Cathode / conectado a la aleta metálica posterior)

Pin 3: Ánodo 2 (Anode 2)

Material del Encapsulado: Resina epoxi moldeada autoextinguible (UL 94 V-0)

Par de Apriete de Montaje (Tornillo M3): Máx. 0.6 Nm

Normativas: Cumplimiento RoHS, libre de halógenos y homologación JEDEC

Etapas de corrección del factor de potencia continua (CCM PFC) en servidores y telecomunicaciones.

Inversores solares fotovoltaicos y etapas de elevación (Boost).

Fuentes de alimentación para centros de datos y minería de criptomonedas.

Cargadores de vehículos eléctricos (EV On-Board / Off-Board Chargers).

Rectificación secundaria en convertidores DC-DC resonantes LLC y fuentes industriales de alta eficiencia.