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MJL4281A
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MJL4281A
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Features
Silicon Power Bipolar Transistor
350 V Collector-Emitter Sustaining Voltage
Gain Complementary :
Gian Linearity from 100 mA t0 5 A
High Gain 80 to 240
hfe = 50 (min.) @ IC = 8 A
Low Harmonic Distortion
High Safe Operation Area 1.0A/100V @ 1 second
High ft
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
MJL4281A
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- MJL4281A
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