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SSH5N80A
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Features
Advanced Power MOSFET
Avalanche Rugged Technology
Rugger Gate Oxide Technology
Low Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 25 uA(Max.) @ VDS = 800 V
Low RDS(ON) : 1.824 Ohms (Typ.)
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
SSH5N80A
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- SSH5N80A
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