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VS-403CNQ100PBF
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VS-403CNQ100PBF
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Features
Silicon NPN Power Transistor
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B(BR)CEO = 40V (Min)
Collector Power Dissipation
: Pc = 25W @ Tc= 25C
Minimum Lot-to-Lot variations robust device performance and reliable operation
Aplications
Applications
Designed for use in general purpose amplifier and switching
VS-403CNQ100PBF
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- VS-403CNQ100PBF
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