Features | Aplicaciones |
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Features
- High Input Impedance
- High Speed :
- tf=0.35us (Max.) trr=0.15us (Max.)
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat) = 3.5 V (Max.)
- Enhancement-Mode
- Includes a Complete Half Bridge in
- One Package
- The Electrodes are Isolated from Case
| - Applications
- High Power Switching
- Motor Control
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 300A/600V/2U |
Toshiba IGBT Type : IGBT 300A 600V DUAL |
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Contamos con Módulos de potencia y gran variedad de Refacciones Electrónicas Industriales de Potencia
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