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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
300A/600V/2U
No Identificado
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SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
High Speed :
tf=0.35us (Max.) trr=0.15us (Max.)
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) = 3.5 V (Max.)
Enhancement-Mode
Includes a Complete Half Bridge in
One Package
The Electrodes are Isolated from Case
Applications
High Power Switching
Motor Control
Toshiba
MG300J2YS40
IGBT 300A 600V DUAL