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MG200Q2YS11

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG200Q2YS11

200A/600V/2U

No Identificado

Delivery time :

Quantidade
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

High Input Impedance

High Speed :

tf=0.5us (Max.) trr=0.5us (Max.)

Low Saturation Voltage :

VCE(sat) = 4.0 V (Max.)

Enhancement-Mode

Includes a Complete Half Bridge in One Package

The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

MG200Q2YS11

Referências específicas

MPN
MG200Q2YS11
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