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MG200Q2YS11
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG200Q2YS11200A/600V/2U
No Identificado
Delivery time :
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
High Speed :
tf=0.5us (Max.) trr=0.5us (Max.)
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) = 4.0 V (Max.)
Enhancement-Mode
Includes a Complete Half Bridge in One Package
The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
MG200Q2YS11
Riferimenti Specifici
- MPN
- MG200Q2YS11
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