• Sobre pedido
MG200Q2YS11
search
  • MG200Q2YS11
  • MG200Q2YS11

MG200Q2YS11

$112.88
Sin impuestos

MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG200Q2YS11

200A/600V/2U

No Identificado

Delivery time :

Cantidad
Sobre pedido

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

High Input Impedance

High Speed :

tf=0.5us (Max.) trr=0.5us (Max.)

Low Saturation Voltage :

VCE(sat) = 4.0 V (Max.)

Enhancement-Mode

Includes a Complete Half Bridge in One Package

The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

MG200Q2YS11

Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
MG200Q2YS11
Comentarios (0)
No hay opiniones de clientes por el momento.