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MG50J6ES50

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50J6ES50

300A/600V/2U

No identificado

Cantidad
Agotado

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • High Input Impedance
  • High Speed :
  • tf=0.35us (Max.) trr=0.15us (Max.)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 3.5 V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • Includes a Complete Half Bridge in
  • One Package
  • The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Toshiba IGBT

Toshiba

MG300J2YS40

IGBT 300A 600V DUAL

MG50J6ES50

Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
MG50J6ES50
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