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MG50J6ES50

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50J6ES50

50A/600V/6U

TOSHIBA

Delivery time : 1-2 semanas.

Quantité
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

The Electrodes are Isolated from Case

High Input Impedance

6 IGBTs Built Into 1 Package

Enhancement -Mode

High Speed :

tf=0.30us (Max.) (IC = 50A)

trr=0.15us (Max.) (IF = 50A)

Low Saturation Voltage :

VCE(sat)= 2.70V (Max.) (IC = 50A)

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

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Références spécifiques

MPN
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