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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
75A/600V/2U
TOSHIBA
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SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
The Electrodes are Isolated from Case
High Input Impedance
Includes a Complete Half Bridge in
One Package
Enhancement-Mode
High Speed :
tf=1.0us (Max.) trr=0.25us (Max.)
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) =2.70V (Max.)
Applications
High Power Switching
Motor Control