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MG100Q2YS40

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG100Q2YS40

100A/1200V/2U

No Identificado

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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

The Electrodes are Isolated from Case

High Input Impedance

Enhancement-Mode

High Speed :

tf=0.5us (Max.)

trr=0.5us (Max.)

Low Saturation Voltage :

VCE(sat) = 4.0V (Max.)

Includes a Complete Half Bridge in

One Package

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG100Q2YS40

IGBT 100A 1200V DUAL

MG100Q2YS40

Referências específicas

MPN
MG100Q2YS40
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