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MG100Q2YS40

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG100Q2YS40

100A/1200V/2U

No identificado

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Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • High Input Impedance
  • Enhancement-Mode
  • High Speed :
  • tf=0.5us (Max.)
  • trr=0.5us (Max.)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 4.0V (Max.)
  • Includes a Complete Half Bridge in
  • One Package

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG100Q2YS40

IGBT 100A 1200V DUAL

MG100Q2YS40

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
MG100Q2YS40
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