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MG100J6ES52
$ 105,00
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG100J6ES52100A/600V/6U
No Identificado
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
The Electrodes are Isolated from Case
High Input Impedance
6 IGBTs Built Into 1 Package
Enhancement-Mode
High Speed :
tf=0.30us (Max.) (IC = 100 A)
trr=0.15us (Max.) (IF = 100A)
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) = 2.70V (Max.) (IC = 100 A)
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
MG100J6ES52
Referências específicas
- MPN
- MG100J6ES52
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