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MG75Q2YS50

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG75Q2YS50

75A/1200V/2U

No Identificado

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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

High input impedance

High speed :

tf = 0.3us (Max.) @ Inductive load

Low saturation voltage :

VCE(sat) = 3.6 V (Max.)

Enhancement-mode

Includes a complete half bridge in

one package

The electrodes are Isolated

from case

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG75Q2YS50

IGBT 75A 1200V DUAL

MG75Q2YS50

Referências específicas

MPN
MG75Q2YS50
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