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MG50Q2YS91

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50Q2YS91

50A/1200V/2U

No Identificado

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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT GTR MODULE

High input impedance

High speed : tf = 1.0 us(Max.)

trr = 0.5 us (Max.)

Low saturation : VCE(sat) = 2.7 V (Max.)

Enhancement mode

The electrodes are isolated from case

Includes a complete half bridge card in one package

Aplications

Semiconductors High Power Equipment Repair

MG50Q2YS91

Referências específicas

MPN
MG50Q2YS91
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