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MG75Q1BS11

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Sem imposto

MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG75Q1BS11

75A/1200V/1U

TOSHIBA

Delivery time : 1-2 semanas.

Quantidade
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

High Input Impedance

High Speed : tf=1.0 us (Max.)

Low Saturation Voltage : VCE(sat)=2.7 (Max.)

Enhancement-Mode

The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

MG75Q1BS11

Referências específicas

MPN
MG75Q1BS11
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