MG75Q1BS11

El MG75Q1BS11 de Toshiba es un módulo de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N en configuración de un solo elemento (Single IGBT Module / GTR Module), perteneciente a la serie de módulos de conmutación de potencia media-alta de Toshiba, diseñado para el control de conmutación de alta velocidad en inversores para control de motores de CA, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), convertidores de frecuencia y equipos de soldadura por arco.

Construido en una carcasa encapsulada compacta con placa base metálica aislada eléctricamente (Isolated Baseplate) para montaje directo sobre disipador de calor térmico, opera con una tensión de bloqueo colector-emisor de 1200 V y una corriente continua nominal de colector de 75 A. Incorpora un diodo de recuperación rápida (FRD) conectado en antiparalelo para corriente de libre circulación (Free-Wheeling Diode), ofreciendo una baja tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat) máximo de 2.7 V), alta impedancia de entrada para control directo por circuitos excitadores de puerta y un tiempo de caída ultrarrápido (tf = 1.0 µs máximo).

Specs

Fabricante: Toshiba (Toshiba Semiconductor)

Modelo / Referencia: MG75Q1BS11

Código de Producto / UNSPSC: 23153100 (32111500 / Módulos semiconductores de potencia / IGBT Modules)

Familia / Serie: Serie GTR IGBT (Silicon N-Channel Enhancement-Mode)

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT de 1 elemento (Single Switch IGBT Module with FRD)

Tipo de Montaje: Fijación mediante tornillos roscados sobre placa o disipador térmico (Chassis / Heatsink Mount)

Asignación de Interfaces y Conexión

Topología Interna: 1 elemento IGBT con diodo de libre circulación antiparalelo integrado (1U / Single)

Terminales de Potencia: Bornes principales atornillados

Colector (C): Terminal de potencia del colector

Emisor (E): Terminal de potencia del emisor

Puerta (G / Gate): Entrada de excitación y conmutación

Emisor auxiliar (E / Kelvin Emitter): Retorno de señal de excitación para evitar inductancias parásitas

Aislamiento de Carcasa: Electrodos completamente aislados de la placa base metálica (Isolated Baseplate)

Desglose de la Nomenclatura

MG: Módulo de potencia Toshiba GTR / IGBT (Molded Gate bipolar module)

75: Corriente continua nominal de colector: 75 A

Q: Tensión nominal colector-emisor: 1200 V

1B: Configuración de 1 unidad/elemento (Single switch)

S11: Variante constructiva, encapsulado mecánico y revisión de generación de chip

Especificaciones Eléctricas del IGBT

Tensión Colector-Emisor Máxima (VCES): 1200 V

Tensión Puerta-Emisor Máxima (VGES): ±20 V

Corriente Continua de Colector (IC): 75 A (a TC = 25 °C)

Corriente de Colector Pulsada (ICP): 150 A (1 ms)

Potencia Disipada Máxima por Colector (PC): Aprox. 600 W (a TC = 25 °C)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Máximo 2.7 V (a IC = 75 A, VGE = 15 V)

Tensión Umbral de Puerta (VGE(th)): 5.0 V a 8.0 V (a IC = 75 mA)

Tiempo de Conmutación:

Tiempo de subida (tr): Típico 0.3 µs (máximo 0.6 µs)

Tiempo de caída (tf): Máximo 1.0 µs (típico 0.5 µs)

Tiempo de encendido (ton): Máximo 0.8 µs

Tiempo de apagado (toff): Máximo 1.5 µs

Especificaciones Eléctricas del Diodo Antiparalelo (FRD)

Tensión Inversa de Pico Máxima (VRRM): 1200 V

Corriente Continua Directa (IF): 75 A

Corriente de Pico Pulsada (IFM): 150 A (1 ms)

Tensión Directa Máxima (VF): Máximo 2.5 V (a IF = 75 A)

Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Máximo 0.3 µs (300 ns)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato del Encapsulado: Carcasa rectangular plástica moldeada con base metálica plana

Dimensiones Físicas: Aprox. 92 mm x 34 mm x 30 mm

Fijación Mecánica: 2 orificios de montaje pasantes para tornillos M5 / M6

Bornes de Potencia: Terminales roscados M5 para terminales de ojal

Material Base: Placa disipadora de cobre niquelado aislada dieléctricamente

Peso Aproximado: Aprox. 180 g a 220 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Tensión de Aislamiento Dieléctrico (Visol): 2500 VAC (50/60 Hz durante 1 minuto entre electrodos y placa base)

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c) IGBT): Máximo 0.21 °C/W

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c) Diodo): Máximo 0.45 °C/W

Rango de Temperatura de Unión en Operación (Tj): -40 °C a +150 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Inversores y convertidores de frecuencia para control de velocidad en motores de CA.

Módulos de potencia en sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) y respaldo industrial.

Equipos de soldadura industrial por arco e inversores resonantes.

Fuentes conmutadas de alta potencia y etapas de frenado dinámico/chopper en variadores.