• On request
MG30G1BL3
search
  • MG30G1BL3
  • MG30G1BL3

MG30G1BL3

$ 31,50
Sem imposto

MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG30G1BL3

30A/600V/1U

No Identificado

Delivery time :

Quantidade
On request

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED IGBT MODULE

The Collector is Isolated from Ground

High DC Current Gain :

hfe = 100(Min.) (IC=30A)

Low Saturation Voltage:

VCE(sat)=2V (Max.) (IC=30A)

High Speed : tf=2us (Max.) (IC=30A)

Aplications

Semiconductors High Power Equipment Repair

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG30G1BL3

TRANSISTOR 30A 450V SINGLE

MG30G1BL3

Referências específicas

MPN
MG30G1BL3
Comentários (0)
Nenhuma avaliação de cliente no momento.