• On request
MG300Q1US11
search
  • MG300Q1US11
  • MG300Q1US11

MG300Q1US11

$ 94,50
Sem imposto

MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG300Q1US11

300A/1200V/1U

No Identificado

Delivery time :

Quantidade
On request

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

High input impedance

High speed :

tf= 1.0us (Max.) trr=0.5us (Max.)

Low saturation voltage :

VCE(sat) = 2.7V (Max.)

Enhancement mode

The electrodes are isolated from case

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG300Q1US11

TRANSISTOR

MG300Q1US11

Referências específicas

MPN
MG300Q1US11
Comentários (0)
Nenhuma avaliação de cliente no momento.