- On request
MG200Q2YS40
$ 99,75
Sem imposto
MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG200Q2YS40200A/1200V/2U
No Identificado
Delivery time :
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
High Speed :
tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) = 3.6 V (Max.)
Enhancement-Mode
Includes a Complete Half Bridge in One Package
The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG200Q2YS40
IGBT 200A 1200V DUAL
MG200Q2YS40
Referências específicas
- MPN
- MG200Q2YS40
Comentários (0)
Nenhuma avaliação de cliente no momento.
16 outros produtos na mesma categoria:
Produtos visualizados
MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
200A/1200V/2U
No Identificado
Delivery time :