Features | Aplicaciones |
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR MODULE
- Features
- The Electrodes are isolated from Case
- 6 IGBTs are Built Into 1 Package
- Enhancement-Mode
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat) = 2.7 V (Max.) (IC = 20A)
- High Speed :
- tf = 1.0us (Max.) (IC = 20A)
- trr = 0.15us (Max.) (IF = 20A)
| - Applications
- High Power Switching
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Marca: No identificadoCaracterísticas electricas: 20A/600V/6U |
Toshiba * Transistor Type : IGBT 20A 600V SIX-PACK SIP |
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