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MODULO TRANSISTOR

Última actualización

DatasheetMP6753

20A/600V/6U

No identificado

Delivery time :

Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR MODULE
  • The Electrodes are isolated from Case
  • 6 IGBTs are Built Into 1 Package
  • Enhancement-Mode
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 2.7 V (Max.) (IC = 20A)
  • High Speed :
  • tf = 1.0us (Max.) (IC = 20A)
  • trr = 0.15us (Max.) (IF = 20A)

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching

Toshiba * Transistor

Toshiba

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IGBT 20A 600V SIX-PACK SIP

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Références spécifiques

MPN
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