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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
50A/1200V/6U
No Identificado
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SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
The Electrodes are Isolated from Case
6 IGBTs are Built Into 1 Package
Enhancement-Mode
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) = 4.0V (Max.)
High Speed :
tf = 0.5us (Max.)
Semiconductors High Power Equipment Repair
Toshiba
MG50Q6ES41
IGBT 50A 1200V SIX-PACK