FD1000FH-56

El FD1000FH-56 de Mitsubishi Electric es un diodo rectificador de silicio de alta frecuencia y alta potencia (High-Frequency Fast Recovery Rectifier Diode) en formato de cápsula de presión o tipo disco (Press-Pack / Hockey Puk), diseñado para aplicaciones de rectificación industrial pesada, inversores de alta frecuencia, convertidores de tracción y fuentes de alimentación conmutadas de gran capacidad.

Diseñado para soportar una tensión inversa de pico repetitiva (VRRM) de 2800 V y una corriente directa media nominal (IF(AV)) de 1000 A, este semiconductor destaca por su bajo tiempo y carga de recuperación inversa (Low QRR), lo que minimiza las pérdidas por conmutación en circuitos dinámicos de alta velocidad. Su estructura encapsulada en disco de presión con doble cara de refrigeración (Double Side Cooled) le permite disipar eficazmente elevadas cargas térmicas y soportar corrientes de sobretensión de pico muy exigentes.

Specs

Fabricante: Mitsubishi Electric Corporation (Japón)

Modelo / Referencia Completa: FD1000FH-56

Familia / Tipo: Fast Recovery Diode (FRD) / High-Frequency Rectifier Diode

Tipo de Encapsulado: Cápsula de presión tipo disco / pastilla (Press-Pack / Hockey Puk Type)

Tipo de Refrigeración: Refrigeración por ambas caras (Double-Side Cooled)

Desglose de la Nomenclatura

FD: Diodo rectificador de recuperación rápida / alta frecuencia (Fast Recovery Diode)

1000: Corriente media en estado de conducción de 1000 A

FH: Serie de alta velocidad / alta tensión

-56: Clase de tensión inversa asignada (56 x 50 V = 2800 V)

Valores Máximos Absolutos (Ta = 25 °C salvo especificación)

Tensión Inversa de Pico Repetitiva (VRRM): 2800 V

Tensión Inversa de Pico No Repetitiva (VRSM): 2900 V a 3000 V

Tensión Inversa Continua de Trabajo (VR(DC)): Hasta 2240 V

Corriente Directa Media en Conducción (IF(AV)): 1000 A (onda senoidal de 180°, refrigeración doble cara)

Corriente Directa Eficaz en Conducción (IF(RMS)): Aprox. 1570 A

Corriente de Sobreflujo Directa de Pico No Repetitiva (IFSM): Aprox. 12 kA a 15 kA (semiperiodo de 10 ms a 50 Hz)

Capacidad Térmica I2t (para selección de fusibles): Aprox. 7.2 x 10^5 A2s a 1.1 x 10^6 A2s

Temperatura de Unión en Operación (Tj): -40 °C a +125 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +150 °C

Características Eléctricas

Tensión Directa en Estado de Conducción (VFM): Típico 1.6 V a 2.2 V (a IFM = 1000 A, Tj = 25 °C / 125 °C)

Corriente Inversa de Pico Repetitiva (IRRM): Máximo 50 mA a 100 mA (a VRRM, Tj = 125 °C)

Carga de Recuperación Inversa (QRR): Aprox. 1000 µC (a condiciones nominales de di/dt y Tj = 125 °C)

Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Rango de recuperación rápida para alta frecuencia (típicamente < 3 µs a 5 µs)

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): Aprox. 0.025 °C/W a 0.035 °C/W (refrigeración doble cara)

Resistencia Térmica Carcasa-Disipador (Rth(c-f)): Aprox. 0.008 °C/W a 0.010 °C/W (con grasa térmica)

Fuerza de Apriete / Montaje Requerida: Aprox. 14 kN a 20 kN (1400 kgf a 2000 kgf mediante abrazadera calibrada)

Diámetro Exterior del Encapsulado: Aprox. 58 mm a 60 mm

Diámetro de la Superficie de Contacto (Polo): Aprox. 34 mm a 38 mm

Altura / Grosor del Disco: Aprox. 26 mm

Peso Aproximado: Aprox. 300 g a 380 g

Diodo de libre circulación (Freewheeling Diode) y diodo de recuperación en inversores de tracción y alta potencia.

Fuentes conmutadas de alta frecuencia para hornos de inducción y fundición de metales.

Circuitos rectificadores en convertidores de media tensión y arrancadores suaves.

Rectificadores para sistemas de soldadura industrial de gran amperaje.

Convertidores de potencia para energías renovables y compensadores estáticos de reactiva (SVC).