SKN6000/04

El SKN6000/04 de SEMIKRON (Semikron Danfoss) es un diodo rectificador de potencia de silicio en formato de disco plano hermético (Capsule / Hockey Puk Diode), perteneciente a la familia de semiconductores de rectificación para corrientes ultraelevadas SKN Series, diseñado para la rectificación de red no controlada, diodos de libre circulación (freewheeling) y fuentes de corriente continua pesada en sectores como galvanoplastia industrial, electrólisis química de metales, máquinas de soldadura por resistencia de media frecuencia, tracción eléctrica pesada y rectificadores de excitación para generadores síncronos.

Construido en una cápsula cerámica hermética de compresión mecánica con electrodos de contacto planos de cobre de gran superficie y grado de protección IP00, está optimizado para refrigeración forzada a doble cara (double-side cooling) mediante disipadores de aluminio o cobre bajo prensa de sujeción calibrada. Opera con una tensión inversa repetitiva de pico (VRRM) de 400 V y admite una corriente media en estado de conducción (IFAV) de hasta 6,000 A (a temperaturas de carcasa controladas), soportando picos de sobrecorriente accidental (surge current IFSM) superiores a 60,000 A, con una resistencia térmica extremadamente baja y unión por compresión directa sin capas de soldadura interna (Pressure Contact Technology) que garantiza una prolongada resistencia a la fatiga por ciclado térmico.

Specs

Fabricante: SEMIKRON (Semikron Danfoss)

Modelo / Referencia: SKN 6000/04 (SKN6000/04)

Código de Producto / UNSPSC: 32111500 / 32111502 (Diodos rectificadores de potencia / Power Rectifier Diodes)

Familia / Serie: Serie SKN (Hermetic Ceramic Capsule Diodes / Hockey Puk)

Tipo de Componente: Diodo rectificador de potencia para frecuencia de red (cápsula disco)

Tipo de Montaje: Montaje por apriete entre disipadores (clamping / press-pack) mediante prensa o mordaza de compresión mecánica con resorte de fuerza calibrada

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conector / Regleta: Superficies frontales planas macizas de contacto metálico de cobre para apriete por presión

Distribución de Pines / Bornes (Componente bipolar estándar SKN):

Cara Frontal / Superficie de Contacto 1: Ánodo (A) / Polaridad positiva de conducción

Cara Posterior / Superficie de Contacto 2: Cátodo (K) / Polaridad negativa de conducción

Aislador Perimetral: Cuerpo cerámico estanco que garantiza la distancia de fuga y aislamiento dieléctrico entre ánodo y cátodo

Desglose de la Nomenclatura

SK: Marca registrada SEMIKRON (Semikron Power Semiconductor)

N: Configuración y polaridad: Diodo rectificador estándar de silicio (Rectifier Diode)

6000: Corriente media aproximada en estado de conducción: 6,000 A

/04: Código de tensión inversa de pico repetitiva: 04 x 100 = 400 V (VRRM)

Especificaciones de Entrada y Bloqueo

Tensión Inversa Repetitiva de Pico (VRRM): 400 V

Tensión Inversa No Repetitiva de Pico (VRSM): 500 V

Corriente Inversa de Fuga Máxima (IRD): Menor o igual a 150 mA (a VRRM y temperatura máxima de unión Tvj = 160 °C)

Frecuencia de Red Operativa: 50 Hz / 60 Hz

Especificaciones Eléctricas de Operación y Conducción

Corriente Media en Estado de Conducción (IFAV): 6,000 A (refrigeración a doble cara, onda senoidal 180°)

Corriente Eficaz en Conducción (IFRMS): Aprox. 9,400 A a 10,000 A

Corriente de Sobretensión Accidental (IFSM): 62,000 A a 70,000 A (semionda senoidal de 10 ms a Tvj = 160 °C)

Integral de Fusión de Seguridad (I²t): Aprox. 19,000,000 A²·s a 24,000,000 A²·s (a 10 ms y Tvj = 160 °C)

Tensión de Umbral (VF(TO)): Aprox. 0.75 V a 0.85 V (a Tvj = 160 °C)

Resistencia Interna de Pendiente (rF): Aprox. 0.04 m?

Tensión Directa de Pico en Conducción (VF): Máx. 1.15 V a 1.25 V (a corrientes de pico nominales)

Características Térmicas y Mecánicas

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)):

Refrigeración a doble cara (DSC - Double Side Cooled): Aprox. 0.008 °C/W a 0.012 °C/W

Refrigeración a una cara (SSC - Single Side Cooled): Aprox. 0.016 °C/W a 0.024 °C/W

Fuerza de Apriete / Montaje Requerida (Fm): 40 kN a 55 kN (calibrada mediante manómetro o resorte dinamométrico indicador)

Contacto Interno: Tecnología de compresión mecánica directa sin capas de soldadura intermedia (Pressure Contact) para máxima resistencia a la fatiga térmica

Construcción Mecánica y Dimensiones

Tamaño de Bastidor / Formato: Cápsula cerámica cilíndrica tipo disco (Hockey Puk industrial de gran diámetro)

Dimensiones Físicas: Diámetro total exterior aprox. 75.0 mm a 100.0 mm; diámetro de la superficie de contacto útil aprox. 50.0 mm a 65.0 mm; altura/espesor del disco aprox. 26.0 mm a 35.0 mm

Materiales:

Superficies de Contacto: Cobre electrolítico de alta pureza niquelado o pulido

Aislador / Anillo Perimetral: Cerámica técnica blanca de alúmina de alta rigidez dieléctrica

Peso Aproximado: Aprox. 800 g a 1,400 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Operación de la Unión (Tvj): -40 °C a +160 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +160 °C

Grado de Protección: IP00 (componente abierto diseñado para montaje bajo presión dentro de bastidores de potencia o disipadores cerrados)

Normativas y Homologaciones: Marcado CE, directiva de baja tensión (LVD) y cumplimiento con directiva RoHS

Puentes rectificadores no controlados de alta corriente en procesos electroquímicos de electrólisis y cubas de galvanoplastia.

Fuentes de alimentación secundaria de corriente continua en prensas y pistolas de soldadura por resistencia (spot welding).

Diodos de libre circulación (freewheeling diodes) en accionamientos de motores de gran potencia y reactores saturables.

Rectificación de entrada en subestaciones industriales y tracción eléctrica ferroviaria de corriente continua.

Sistemas estáticos y rotativos de excitación sin escobillas para grandes alternadores e hidrogeneradores.