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MODULOS IGBT TRANSISTOR BIPOLAR
Última actualización
50A/600V/6U
FUJI ELECTRIC
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Marca: Fuji Electric
Tipo de Módulo: IGBT (Transistor Bipolar de Compuerta Aislada) - Medio Puente (Half-Bridge / 2-in-1)
Corriente de Colector Nominal (Ic @ 80°C): 50 A
Tensión Colector-Emisor (Vces): 600 V
Tensión de Saturación Colector-Emisor (Vce(sat)): Típicamente ~2.1V (consultar datasheet para valor exacto con corriente específica).
Configuración Interna: Contiene 2 IGBTs y 2 diodos de rápida recuperación (FRD) en configuración de medio puente.
Aislamiento: Módulo aislado. Tensión de aislamiento terminal-base (Visol) típicamente ? 2500 Vrms.
Rango de Temperatura de Unión (Tj): -40°C a +150°C (o +175°C, ver datasheet).
Características de Conmutación: Diseñado para frecuencias de conmutación medias (usualmente hasta 20kHz).
Características de Protección: El módulo en sí no incluye protección integrada; requiere circuito de driver externo con protecciones como:
Protección contra cortocircuito (SC).
Control de subida de tensión (du/dt).
Variadores de Velocidad para Motores AC (VFD/Inversores).
Servoaccionamientos.
Fuentes de Alimentación de Mediana y Alta Potencia.
Sistemas de Energía No Interrumpida (UPS).
Equipos de Soldadura.