2MBI150U4H-120-50

El 2MBI150U4H-120-50 de FUJI ELECTRIC (familia U4 Series / Dual IGBT Power Modules) es un módulo semiconductor de potencia en configuración de medio puente (Half-Bridge Dual IGBT Module), diseñado para aplicaciones de alta velocidad de conmutación y accionamiento por tensión en etapas inversoras para variadores de frecuencia (VFD), servodrives de corriente alterna, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) y equipos de soldadura industrial.

Montado en una carcasa compacta de baja inductancia parásita interna sobre placa base aislada con sustrato cerámico, integra dos transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) con diodos de recuperación rápida y suave (FWD) conectados en antiparalelo. Presenta una capacidad nominal de 150 A y una tensión de bloqueo colector-emisor de 1200 V, garantizando una reducida tensión de saturación VCE(sat), bajas pérdidas dinámicas de conmutación y terminales roscados métricos para conexiones seguras de alta corriente.

Specs

Fabricante: Fuji Electric Co., Ltd.

Modelo / Referencia: 2MBI150U4H-120-50 (Serie U4 / 2MBI150U4H-120)

Código de Producto / UNSPSC: 23153100 (32111700 / 32111706 Módulos semiconductores IGBT de potencia / IGBT Power Modules)

Familia / Serie: Serie U4 (Fuji U Series IGBT Modules / High Speed Switching)

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT de medio puente (Dual IGBT Module)

Tipo de Montaje: Fijación atornillada sobre disipador de calor mediante tornillos métricos M5

Desglose de la Nomenclatura

2MBI: Módulo dual de 2 elementos IGBT en medio puente (Half-bridge configuration)

150: Corriente nominal continua de colector de 150 A

U4H: Serie tecnológica U4 optimizada para alta velocidad de conmutación (High speed switching)

-120: Tensión asignada de bloqueo colector-emisor de 1200 V

-50: Código de revisión de diseño y encapsulado estándar

Especificaciones Eléctricas Absolutas

Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V

Tensión Puerta-Emisor (VGES): ±20 V

Corriente Continua de Colector (IC): 150 A (a TC = 80 °C) / hasta 200 A (a TC = 25 °C)

Corriente de Pico de Colector (ICP / 1 ms): 300 A

Corriente Directa de Diodo (IF): 150 A

Corriente de Pico de Diodo (IFM / 1 ms): 300 A

Disipación Máxima de Potencia por IGBT (PC): Aprox. 780 W a 890 W (a TC = 25 °C)

Tensión de Aislamiento (Viso): 2500 VAC (50/60 Hz, 1 minuto entre terminales y placa base)

Características Eléctricas y de Conmutación (a Tj = 25 °C)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Aprox. 1.80 V a 2.30 V (a IC = 150 A, VGE = 15 V)

Tensión Umbral de Compuerta (VGE(th)): 4.5 V a 6.5 V (a IC = 15 mA, VCE = 20 V)

Caída de Tensión Directa de Diodo (VF): Aprox. 1.80 V a 2.25 V (a IF = 150 A)

Capacitancia de Entrada (Cies): Aprox. 18 nF a 22 nF (a VCE = 10 V, f = 1 MHz)

Tiempos de Conmutación (Carga Inductiva):

Tiempo de encendido (ton): Aprox. 0.35 µs a 0.55 µs

Tiempo de subida (tr): Aprox. 0.10 µs a 0.18 µs

Tiempo de apagado (toff): Aprox. 0.45 µs a 0.70 µs

Tiempo de caída (tf): Aprox. 0.08 µs a 0.15 µs

Tiempo de recuperación inversa de diodo (trr): Aprox. 0.15 µs a 0.25 µs

Características Térmicas y Mecánicas

Resistencia Térmica Unión-Carcasa IGBT (Rth(j-c)): Máximo 0.14 °C/W a 0.16 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Carcasa Diodo (Rth(j-c)_FWD): Máximo 0.24 °C/W a 0.27 °C/W

Resistencia Térmica Carcasa-Disipador (Rth(c-f)): Aprox. 0.05 °C/W (con pasta térmica aplicada)

Temperatura de Unión de Operación (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato de Envolvente: Encapsulado estándar industrial M233 / Dual Pack

Dimensiones Físicas: Aprox. 94 mm (largo) x 34 mm (ancho) x 30 mm a 31 mm (alto)

Distancia entre Orificios de Montaje: 80 mm (orificios para tornillos métricos M5)

Terminales Principales de Potencia (C1, C2E1, E2): Bornes roscados métricos M5 (par de apriete recomendado: 2.5 N·m a 3.5 N·m)

Terminales de Compuerta y Control: Conexión tipo Faston / lengüeta de 2.8 mm x 0.8 mm (G1-E1, G2-E2)

Par de Apriete sobre Disipador: 3.0 N·m a 4.0 N·m

Peso Aproximado: Aprox. 190 g a 230 g

Inversores de variadores de frecuencia de 22 kW a 37 kW alimentados en 380-480 VAC.

Servocontroladores de alta dinámica y respuesta rápida para ejes industriales.

Fuentes de alimentación conmutadas industriales y sistemas SAI / UPS de alta potencia.

Inversores para sistemas solares fotovoltaicos y turbinas eólicas.

Fuentes de corriente constante para soldadura por arco y calentamiento inductivo.