2MBI200N-120

El 2MBI200N-120 es un módulo de potencia de la familia IGBT (Transistor Bipolar de Compuerta Aislada) fabricado por Fuji Electric. Este modelo está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia y alta velocidad, configurado internamente como un módulo dual (dos IGBTs en una configuración de medio puente).

Estos son los valores límite y características de operación para el dispositivo:

Tensión Máxima Colector-Emisor (Vces): 1200V.

Corriente de Colector Continua (Ic): 200A (medido a una temperatura de carcasa de 25 grados Celsius).

Corriente de Colector Pulsada (Icp): 400A (durante 1 milisegundo).

Tensión de Saturación Colector-Emisor (Vce sat): Típicamente entre 2.1V y 2.8V.

Potencia de Disipación Máxima (Pc): Hasta 780W por cada elemento IGBT dentro del módulo.

Temperatura de Unión de Operación (Tj): Soporta hasta 150 grados Celsius.

Baja pérdida de energía: Gracias a su baja tensión de saturación, el módulo genera menos calor durante el estado de conducción.

Alta velocidad: Optimizado para conmutación rápida, lo que permite reducir el ruido y mejorar la eficiencia en circuitos de control.

Diodo de recuperación suave: Incluye diodos de libre circulación integrados que protegen el módulo contra picos de voltaje generados por cargas inductivas (como motores).

Aislamiento eléctrico: La base metálica está aislada de los terminales eléctricos, lo que permite montar varios módulos en un mismo disipador de calor de forma segura.

Este componente es una pieza clave en equipos industriales de gran escala, tales como:

Variadores de frecuencia para el control de motores de corriente alterna.

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).

Máquinas de soldadura eléctrica de tipo inversor.

Servocontroladores para robótica y automatización.

Inversores para sistemas de energía solar o eólica de baja tensión.