CPV363M4F

El CPV363M4F es un módulo de potencia IGBT altamente optimizado y compacto, configurado específicamente como un Inversor Trifásico de 6 Switches (seis IGBTs y sus seis diodos anti-paralelos o de rueda libre). Está diseñado para ser montado en placa (Through Hole) y utiliza la tecnología IMS (Insulated Metal Substrate) para una excelente gestión térmica.

Función Principal: Inversor Trifásico completo (3 pares de half-bridge).

Componentes Internos: Seis IGBTs y seis Diodos de Rueda Libre (HEXFRED™) de recuperación ultra-rápida.

Encapsulado: SIP (Single In-line Package) de 13 pines (o 19-SIP, 13 Leads, según el datasheet), conocido como IMS-2.

Tecnología: Utiliza la tecnología HEXFRED™ para los diodos, que asegura bajas pérdidas de conmutación (incluyendo las pérdidas por cola del IGBT) y un rendimiento optimizado en el rango de frecuencia de operación media (típicamente de 1 a 10 kHz).

Voltaje Colector-Emisor Máx.: VCES: 600: V

Corriente de Colector Continua: IC @ TC=25°C: 16: A

Corriente de Colector Continua: IC @ TC=100° C: 6.8 - 8.7: A

Voltaje de Saturación Colector-Emisor: VCE(on) @ 6.8 A: 1.70 (Típ.): V

Voltaje de Aislamiento: VISOL: 2500 (AC 1 min): Vrms

Temperatura Máxima de Unión: TJ(max): 150: ° C

Disipación de Potencia (por IGBT): PD @ TC=25° C: 36: W

Resistencia Térmica (J-C): R JC (IGBT): 3.5 (Máx.): ° C / W

Accionamientos de Motor: Es ideal para el control de motores AC de baja y media potencia, como los utilizados en electrodomésticos, sistemas de climatizació

Convertidores de Potencia: Aplicaciones que requieren la conversión de DC a AC trifásica.

Requisitos Simplificados de Gate-Drive: Los IGBTs ofrecen requisitos de control de puerta (gate-drive) más sencillos en comparación con los transistores bipolares, similar a los MOSFET de potencia.

Montaje en PCB: El diseño SIP permite un montaje sencillo y directo en la placa de circuito impreso (Through Hole), proporcionando una solución robusta y aislada eléctricamente (Fully isolated package).