SEMIX703GB126V1

El SEMIX703GB126V1 (o SEMiX 703GB126V1) de SEMIKRON / Semikron-Danfoss es un módulo de potencia IGBT en configuración de medio puente (Half-Bridge IGBT Module / Dual IGBT) perteneciente a la plataforma industrial SEMiX 3s / SEMiX, diseñado para etapas de potencia de alta densidad de corriente en inversores de tracción, variadores de velocidad y sistemas de conversión de energía renovable.

Diseñado para operar con una tensión colector-emisor nominal de 1200 V (VCES) y una corriente nominal continua de colector de 700 A (IC), este dispositivo incorpora chips Trench IGBT 3 / Field Stop optimizados para bajas pérdidas por conducción y conmutación rápida. Cuenta con diodos de libre circulación antiparalelo CAL 3 (Controlled Axial Lifetime) de recuperación suave para reducir el ruido electromagnético (EMI), termistor NTC integrado para supervisión térmica en tiempo real, placa base de cobre de gran conductividad térmica con aislamiento galvánico de 2500 VAC y terminales de potencia atornillados junto a pines de control para montaje en circuito impreso.

Specs

Fabricante: SEMIKRON / Semikron-Danfoss (Alemania)

Modelo / Referencia Completa: SEMIX703GB126V1 (SEMiX 703 GB 126 V1 / SEMIX703GB126V1)

Familia / Serie: Serie SEMiX (SEMiX 3s Package)

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT de medio puente (Half-Bridge / 2-pack)

Desglose de la Nomenclatura

SEMiX: Plataforma de encapsulados planos de bajo perfil Semikron (Semikron Integrated Mixed Package)

70: Rango de corriente nominal base (700 A)

3: Tamaño de carcasa física (SEMiX 3 / SEMiX 3s)

GB: Configuración de medio puente (Half-Bridge: 2 IGBTs + 2 Diodos FWD)

12: Tensión máxima de 1200 V (12 x 100 V)

6: Generación de chips Trench IGBT3

V1: Versión de hardware y revisión de diseño térmico/mecánico

Especificaciones Eléctricas Principales (IGBT)

Tensión Colector-Emisor Máxima (VCES): 1200 V

Corriente Continua de Colector (IC / ICnom): 700 A (a TC = 80 °C) / aprox. 950 A (a TC = 25 °C)

Corriente de Pico Repetitiva de Colector (ICRM): 1400 A (tp = 1 ms)

Tensión Colector-Emisor de Saturación (VCE(sat)):

Típica 1.70 V a 1.80 V (a IC = 600 A / 700 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C)

Aprox. 2.05 V a 2.15 V (a Tj = 125 °C / 150 °C)

Tensión Puerta-Emisor Admisible (VGES): +/- 20 V

Tiempo de Resistencia al Cortocircuito (tsc): Mínimo 10 µs (a VCC = 800 V, VGE <= 15 V, Tj <= 125 °C)

Carga Total de Puerta (QG): Aprox. 5.5 µC a 6.8 µC (a VGE = -15 V ... +15 V)

Especificaciones del Diodo de Marcha Libre (CAL Diode)

Tensión Inversa de Pico Repetitiva (VRRM): 1200 V

Corriente Directa Continua (IF): 600 A a 700 A (a TC = 80 °C)

Corriente de Pico Repetitiva (IFRM): 1400 A (1 ms)

Tensión Directa de Conducción (VF): Típica 1.50 V a 1.65 V (a IF = 600 A, Tj = 25 °C)

Tecnología del Diodo: CAL 3 (Controlled Axial Lifetime para suave conmutación y bajo EMI)

Sensor de Temperatura NTC Integrado

Tipo de Sensor: Termistor NTC para monitorización del sustrato cerámico

Resistencia Nominal (R25): 5.0 kOhmios (+/- 5% a 25 °C)

Constante B (B25/85): Aprox. 3420 K (+/- 1.5%)

Rendimiento Térmico y Aislamiento

Resistencia Térmica Unión-Carcasa IGBT (Rth(j-c)): Aprox. 0.045 K/W por interruptor

Resistencia Térmica Unión-Carcasa Diodo (Rth(j-c)): Aprox. 0.075 K/W por diodo

Resistencia Térmica Carcasa-Disipador (Rth(c-s)): Aprox. 0.018 K/W (con pasta térmica conductora)

Temperatura Máxima de Unión Operativa (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Tensión de Aislamiento Dieléctrico (Visol): 2500 VAC (50 Hz durante 1 minuto entre terminales y base)

Especificaciones Mecánicas y de Montaje

Formato de Encapsulado: SEMiX 3s (carcasa industrial plana de perfil bajo)

Conexión de Potencia: Terminales roscados métricos M6

Par de Apriete de Terminales de Potencia: 2.5 Nm a 5.0 Nm (M6)

Conexión de Señal / Compuerta: Pines auxiliares para inserción directa en PCB o soldadura

Fijación al Disipador: Orificios de montaje para tornillería M5

Par de Apriete al Disipador: 3.0 Nm a 5.0 Nm

Material de la Placa Base: Cobre con aislamiento cerámico DBC (Direct Bonded Copper)

Dimensiones Aproximadas: Aprox. 150 mm (largo) x 62 mm (ancho) x 17 mm a 20 mm (alto)

Peso Aproximado: 350 g a 420 g

Certificaciones y Estándares

Homologaciones: Reconocido bajo normativa UL (File E63532), marcado CE y cumplimiento con directiva RoHS

Variadores de frecuencia (VFD) e inversores para control de motores trifásicos de CA de gran potencia (>200 kW a 350 kW).

Inversores centrales y de cadena para parques solares fotovoltaicos y generadores eólicos.

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) de gran escala y convertidores estáticos de red.

Estaciones de recarga ultrarrápida de vehículos eléctricos (EV Ultra-Fast Chargers).

Convertidores de tracción y fuentes de potencia para calentamiento por inducción y soldadura industrial.