SKM300GB125D

El SKM300GB125D de Semikron (Semikron Danfoss) es un módulo de potencia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de medio puente (Half-Bridge) perteneciente a la familia SEMITRANS 3.

Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia y frecuencia media a rápida, este módulo combina transistores IGBT con tecnología de canal N y diodos de marcha libre (Free-Wheeling Diodes) CAL (Controlled Axial Lifetime) ultrarrápidos integrados en configuración antiparalelo. Cuenta con una capacidad de corriente nominal de colector de 300 A a una tensión de bloqueo de hasta 1,200 V, destacando por su placa base aislada de cobre mediante sustrato cerámico DBC (Direct Bonded Copper), baja inductancia interna y alta resistencia a ciclos térmicos.

Specs

Fabricante: Semikron (Semikron Danfoss)

Modelo / Referencia: SKM300GB125D

Familia / Serie: SEMITRANS 3 / Módulos IGBT de Potencia

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT de medio puente (Half-Bridge)

Desglose de la Nomenclatura

SKM: Serie de módulos de potencia de transistores IGBT Semikron

300: Corriente nominal de colector aproximada (300 A)

GB: Configuración de circuito en medio puente (Half-Bridge / 2 IGBTs en serie)

12: Tensión máxima de bloqueo de 1,200 V (12 x 100 V)

5D: Generación de chip IGBT (con diodo CAL integrado de recuperación suave)

Especificaciones Eléctricas de los IGBTs

Tensión Colector-Emisor Máxima (Vces): 1,200 V

Corriente Continua de Colector (Ic):

300 A (a Tc = 25 °C)

200 A a 220 A (a Tc = 80 °C)

Corriente Pico Pulsada de Colector (Icm): 600 A (tp = 1 ms)

Tensión Puerta-Emisor Máxima (Vges): ±20 V

Tensión de Saturación Colector-Emisor (Vce(sat)): Típicamente 1.9 V a 2.3 V (a Ic = 200 A, Vge = 15 V, Tj = 25 °C)

Tensión Umbral de Puerta (Vge(th)): 5.0 V a 6.5 V

Tiempo de Conmutación:

Tiempo de retardo al encendido (td(on)): Aprox. 80 ns a 100 ns

Tiempo de subida (tr): Aprox. 60 ns

Tiempo de retardo al apagado (td(off)): Aprox. 500 ns a 600 ns

Tiempo de caída (tf): Aprox. 70 ns a 90 ns

Especificaciones Eléctricas de los Diodos Inversos (CAL Diodes)

Corriente Directa Continua (IF): Aprox. 200 A a 300 A

Corriente Pico Pulsada Directa (IFM): 600 A

Tensión Directa Directa (VF): Típicamente 1.8 V a 2.2 V

Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Recuperación suave ultrarrápida (baja emisión EMI)

Especificaciones Mecánicas y Constructivas

Formato de Encapsulado: Carcasa estándar industrial SEMITRANS 3

Aislamiento Eléctrico: Placa base aislada cerámicamente (DBC Al2O3)

Tensión de Aislamiento (Visol): 2,500 VAC (1 minuto, 50 Hz) / 4,000 VAC opcional

Terminales Principales de Potencia: Terminales roscados M6 para barras de cobre / zapatas

Terminales de Control (Puerta/Emisor auxiliar): Conectores de lengüeta Faston de 2.8 mm x 0.8 mm

Dimensiones del Cuerpo: 106 mm (largo) x 62 mm (ancho) x 30 mm (alto)

Par de Apriete Recomendado:

Tornillos de montaje al disipador (M6): 3 Nm a 5 Nm

Tornillos de terminales de potencia (M6): 2.5 Nm a 5 Nm

Peso Aproximado: 325 g

Especificaciones Térmicas y Ambientales

Rango de Temperatura de Unión de Operación (Tj): -40 °C a +150 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Resistencia Térmica Unión a Placa Base (Rth(j-c)):

Por IGBT: Aprox. 0.11 °C/W a 0.13 °C/W

Por Diodo: Aprox. 0.20 °C/W a 0.25 °C/W

Certificaciones y Cumplimiento: UL Recognized (File E63532), CE, RoHS compliant

Variadores de frecuencia y convertidores de velocidad para motores de corriente alterna (VFDs).

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) y acondicionadores de línea trifásicos.

Inversores para energías renovables (inversores solares fotovoltaicos y turbinas eólicas).

Fuentes de alimentación para soldadura industrial, calentamiento por inducción y tracción eléctrica.