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SKT760/12E

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SCR - THYRISTOR CONTROL DE FASE

Última actualización

DatasheetSKT760/12E

760A/1200V/1U

SEMIKRON

Delivery time : 1-2 Semanas

Alternativas del producto : ST730C18L0L

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(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

El SKT760/12E es un tiristor de control de fase de alta potencia (SCR, por sus siglas en inglés) de grado industrial fabricado por la empresa alemana Semikron. Este componente está diseñado bajo una arquitectura de encapsulado hermético tipo cápsula o disco (press-pack), la cual permite una disipación de calor sumamente eficiente por ambas caras (double-side cooling) al ser prensado mecánicamente entre bloques disipadores. Pertenece a la serie E de alta tensión, lo que lo convierte en un dispositivo extremadamente robusto y fiable, ideal para el control y conmutación de corrientes masivas en aplicaciones pesadas de la red eléctrica.

Parámetros Eléctricos Importantes

Este tiristor está optimizado para trabajar en redes industriales de corriente alterna de baja y media tensión con una alta tolerancia a sobretensiones:

Voltaje Reverso Máximo Repetitivo (Vrrm) y de Bloqueo Directo (Vdrm): 1200 Voltios (V) (indicado por el código 12 en su nomenclatura). Es la tensión máxima que el componente puede soportar de manera segura en estado de apagado.

Corriente Media en Estado de Conducción (It av): 760 Amperios (A) operando a una temperatura de carcasa controlada de 85 °C (asociado al código 760).

Corriente RMS en Estado de Conducción (It rms): Hasta 1500 Amperios (A) de flujo continuo.

Corriente de Sobretensión de Pico No Repetitiva (Itsm): Capacidad para resistir un pulso transitorio de cortocircuito de hasta 11,500 Amperios (11.5 kA) en un intervalo de 10 milisegundos (a 50 Hz).

Velocidad Crítica de Elevación de Voltaje (dv/dt): 1000 Voltios por microsegundo, lo que proporciona una excelente inmunidad contra disparos involuntarios causados por ruidos, armónicos o picos bruscos en la línea de alimentación.

Velocidad Crítica de Elevación de Corriente (di/dt): 150 Amperios por microsegundo en el momento del encendido.

Corriente de Disparo de Compuerta Mínima (Igt): Hasta 250 miliamperios (mA) a una temperatura ambiente de 25 °C para garantizar que el semiconductor pase completamente al estado de conducción.

Dimensiones Físicas

Al tratarse de un componente de estilo press-pack, el diseño plano maximiza la superficie de contacto para optimizar tanto la conductividad eléctrica como la transferencia térmica:

Tipo de Encapsulado: Cápsula cerámica hermética para montaje por presión (Estándar de carcasa Semikron: TO-200AC o similar).

Diámetro Total Exterior: Aproximadamente 58 a 60 milímetros (mm).

Diámetro de las Superficies de Contacto de Cobre (Ánodo/Cátodo): Entre 34 y 36 mm.

Espesor o Altura Total del Disco: Aproximadamente 26 mm.

Fuerza de Sujeción Mecánica Requerida: Para asegurar que las capas internas no sufran estrés localizado y disipen el calor adecuadamente, se debe aplicar una fuerza de compresión externa calibrada mediante abrazaderas de entre 10 y 15 kilonewtons (kN).

Conexiones Internas

La estructura interna del SKT760/12E está diseñada para soportar densidades de energía extremas sin degradarse:

Estructura Multicapa de Silicio: Consiste en una pastilla de silicio monolítica de gran diámetro con una disposición de cuatro capas semiconductoras dopadas alternadamente (P-N-P-N).

Terminales de Potencia Principales: No incorpora bornes roscados ni cables gruesos. Las dos caras planas de metal pulido del encapsulado exterior actúan directamente como el Ánodo y el Cátodo. Las uniones con el circuito de potencia se realizan presionando estas caras directamente contra barras de cobre lisas.

Conexión de Control (Compuerta/Gate): Dispone de un terminal tipo pin o cable flexible delgado ubicado en la banda aislante central del disco. Internamente, cuenta con una geometría de compuerta amplificadora (amplifying gate) que aprovecha la pequeña señal de entrada para expandir la conducción de forma simétrica por toda la oblea en pocos microsegundos, evitando fallas por concentración térmica localizada.

Aplications

Debido a su capacidad para bloquear tensiones de hasta 1200 V (estándar para líneas comerciales trifásicas de 440V/480V), el SKT760/12E es ampliamente utilizado en:

Arrancadores Suaves de Motores (Soft Starters): Control de arranque y frenado suave de motores trifásicos industriales utilizados en la industria minera, molinos de cemento y estaciones de bombeo de agua.

Rectificadores Industriales Controlados (Puentes de Tiristores): Conversión de corriente alterna a corriente directa masiva en subestaciones de soldadura a gran escala, plantas de electrólisis química y cargadores de baterías industriales.

Controladores de Velocidad para Motores de Corriente Directa (DC Drives): Regulación precisa de velocidad y torque para motores de gran caballaje en trenes de laminación de acero y plantas papeleras.

Sistemas de Calefacción por Inducción Electromagnética: Regulación del paso de energía en hornos de fundición de metales y tratamientos térmicos industriales.

Interruptores de Estado Sólido de Corriente Alterna: Reemplazo de contactores electromecánicos de gran tamaño para conmutar de forma rápida y sin arcos eléctricos cargas masivas en la red industrial.

Semikron Phase Control SCRs, SKT760 Series

Semikron

SKT760/12E

SCR, TO-200AC, 1200V, 760A ; Package Style; TO-200AC

Vrrm (volts); 1200 Volts

Vdrm (volts); 1200 Volts

It (rms) Amps; 1600 Amps

It (avg) Amps; 696 Amps

Itsm Amps; 15000 Amps

di/dt (A/microseconds); 125

dv/dt (V/microseconds); 1000

I2T@50Hz (A2Sec); 1125000

Vtm (volts); 1.65 Volts

tq (microseconds); 200 MicroSeconds

Irrm Peak (mA); 80 MilliAmps

Idrm Peak (mA); 80 MilliAmps

Igt (mA); 200 MilliAmps

Vgt (volts); 3 Volts

Puck Size (h x dia.) in.; 1x2.25

Junction Temp.; 257 Degrees F

Mounting Force; 10 kN

RoHS; Yes

Diag. No.; SEKG_SCR_DIAG_B10

SEMIKRON
SKT760/12E

Referências específicas

MPN
SKT760/12E
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