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El DCR2830C18 de Dynex Semiconductor es un tiristor de potencia de control de fase en formato disco o cápsula (Phase Control Capsule / Hockey-Puk SCR Thyristor), diseñado para aplicaciones de conmutación en corriente alterna, rectificación pesada y control de grandes potencias eléctricas en redes de baja y media tensión.
Fabricado con tecnología de aleación y difusión avanzada sobre oblea de silicio de gran diámetro, este semiconductor ofrece una tensión de bloqueo inversa y directa de pico repetitivo de 1800 V y una corriente nominal media en estado de conducción de hasta 2830 A (con refrigeración por doble cara). Su diseño en cápsula cerámica hermética de compresión mecánica asegura una resistencia térmica extremadamente baja, alta tolerancia a sobrecorrientes transitorias y una prolongada vida útil frente a ciclos térmicos intensos en montajes con disipadores refrigerados por agua o aire forzado.
Specs
Fabricante: Dynex Semiconductor Ltd.
Modelo / Referencia: DCR2830C18
Código de Producto / UNSPSC: 32111702 (Tiristores de potencia SCR)
Familia / Gama: Tiristores de control de fase en cápsula (Phase Control Capsule Thyristors)
Tipo de Componente: Tiristor SCR de compresión (Hockey-Puk / Disc Type Thyristor)
Tipo de Montaje: Montaje por presión mecánica (Clamp / Press-pack mounting) entre disipadores térmicos
Desglose de la Nomenclatura
DCR: Gama de tiristores de control de fase de Dynex (Dynex Controlled Rectifier)
2830: Corriente nominal media asignada en estado de conducción (aprox. 2830 A con refrigeración bilateral)
C: Código de tamaño y contorno de la cápsula mecánica de compresión
18: Tensión asignada de bloqueo repetitivo de 1800 V (18 x 100 V)
Especificaciones Eléctricas de Potencia
Tensión Repetitiva de Pico en Estado de Bloqueo (VDRM / VRRM): 1800 V
Tensión No Repetitiva de Pico (VDSM / VRSM): 1900 V
Corriente Media en Estado de Conducción (IT(AV)): Hasta 2830 A (medio ciclo senoidal a 50 Hz, doble cara refrigerada)
Corriente Eficaz en Estado de Conducción (IT(RMS)): Aprox. 4440 A
Corriente de Sobretensión de Pico No Repetitiva (ITSM): Aprox. 38,000 A a 42,000 A (pulso de 10 ms a 50 Hz)
Capacidad de Fusión Transitoria (I²t): Aprox. 7.2 x 10? A²s a 8.8 x 10? A²s (para coordinación con fusibles ultrarrápidos)
Tensión de Conducción en Estado Activo (VTM): Típico 1.35 V a 1.55 V a corriente de pico nominal
Corriente de Fuga en Bloqueo (IDRM / IRRM): Menor o igual a 150 mA (a máxima temperatura de unión y tensión nominal)
Características de Disparo y Dinámicas
Corriente de Disparo de Compuerta (IGT): 150 mA a 300 mA (a 25 °C)
Tensión de Disparo de Compuerta (VGT): 1.5 V a 3.0 V
Tensión de Compuerta de No Disparo (VGD): Mínimo 0.25 V (a Tj máxima)
Velocidad Crítica de Crecimiento de Tensión en Bloqueo (dV/dt): Típico 1000 V/µs
Velocidad Crítica de Subida de Corriente en Conducción (di/dt): Hasta 200 A/µs a 300 A/µs (no repetitivo)
Características Mecánicas y Térmicas
Formato de Envolvente: Cápsula cerámica hermética de compresión (Ceramic Hockey-Puk)
Fuerza de Sujeción Mecánica Recomendada: Aprox. 24 kN a 30 kN (requiere dinamómetro / resorte de apriete)
Refrigeración: Doble cara (Double-side cooled) recomendada; admisible cara simple con reducción de prestaciones
Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +125 °C
Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +150 °C
Resistencia Térmica Unión-Disipador (Rth(j-hs)): Muy baja resistencia térmica (aprox. 0.015 °C/W a 0.022 °C/W con enfriamiento bilateral)
Peso Aproximado: Aprox. 500 g a 850 g
Conexión de Puerta y Auxiliares
Conexión de Compuerta (Gate) y Cátodo Auxiliar: Cables conductores trenzados con terminales tipo ojal o conectores rápidos Faston integrados en el flanco cerámico
Accionamientos y variadores de velocidad para motores de corriente continua de gran escala (DC Drives).
Arrancadores suaves de media tensión para motores síncronos y asíncronos de alta potencia.
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Compensadores estáticos de reactiva (SVC / FACTS) e interruptores estáticos de transferencia en redes eléctricas.