IRFI540N

El IRFI540N (originalmente de International Rectifier, hoy parte de Infineon Technologies) es un transistor MOSFET de potencia de canal N con tecnología HEXFET, caracterizado por su muy baja resistencia de conducción por área y su encapsulado aislado.

Especificaciones Eléctricas Principales

Tipo de Dispositivo: MOSFET Canal N (HEXFET Power MOSFET).

Tensión Máxima Drenaje-Fuente (Vds): 100 V.

Corriente Continua de Drenaje (Id): 20 A (a Tc = 25 °C) / 14 A (a Tc = 100 °C).

Corriente Pulsada de Drenaje (Idm): Hasta 110 A.

Resistencia en Estado Activo (Rds on): Máximo 0.044 ohms (44 mohms) a Vgs = 10 V.

Tensión Umbral de Puerta (Vgs th): 2.0 V a 4.0 V.

Carga Total de Puerta (Qg): Aproximadamente 71 nC.

Rango de Temperatura de Operación: -55 °C a +175 °C.

Encapsulado y Formato Físico

Encapsulado: TO-220 FullPak (TO-220FP / TO-220AB aislado).

Aislamiento Térmico y Eléctrico: La carcasa plástica integrada proporciona un aislamiento dieléctrico directo de hasta 2.5 kV RMS entre los pines y la pestaña de montaje. Esto elimina la necesidad de utilizar aislantes de mica o almohadillas térmicas independientes al fijarlo al disipador.

Distribución de Pines (vista frontal con las terminales hacia abajo):

Gate (Puerta / G): Pin 1

Drain (Drenaje / D): Pin 2

Source (Fuente / S): Pin 3

Control de Motores de CC: Puentes H y variadores de velocidad de baja/media tensión.

Convertidores CC-CC (DC-DC): Etapas de potencia y reguladores de conmutación.

Inversores de Potencia: Circuitos de conmutación para sistemas fotovoltaicos y de respaldo de 12 V, 24 V o 48 V.

Conmutación de Cargas (Load Switching): Activación de solenoide, relés y tiras LED.