D2N3638A

El D2N3638A (denominación comercial/industrial correspondiente a la serie 2N3638A / 2N3638) de Motorola (Motorola Semiconductor Products Inc. / continuado por ON Semiconductor) es un transistor bipolar de unión PNP de silicio (Silicon PNP Bipolar Junction Transistor) encapsulado en formato plástico compacto TO-92 (o metálico TO-18 según versión de empaque), diseñado para aplicaciones de conmutación de velocidad media-alta (Medium-Speed Saturated Switching) y amplificación de propósito general en circuitos electrónicos industriales y comerciales.

Diseñado mediante tecnología epitaxial planar de silicio, ofrece una tensión máxima colector-emisor de bloqueo (VCEO) de 25 V y soporta una corriente continua de colector (IC) de 0.8 A (800 mA) con picos admisibles de hasta 1.0 A. Proporciona una disipación de potencia total de hasta 625 mW a temperatura ambiente estándar (TA = 25 °C), destacando por su baja tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)), tiempos de conmutación reducidos (ton y toff) y una ganancia de corriente continua (hFE) equilibrada para la activación eficiente de relés, lámparas indicadoras, circuitos lógicos y etapas de accionamiento en media potencia.

Specs

Fabricante: Motorola Semiconductor (ON Semiconductor / Central Semiconductor)

Modelo / Referencia: D2N3638A (familia JEDEC: 2N3638A)

Código de Producto / UNSPSC: 32111600 (32111601 / Transistores bipolares / Bipolar Transistors - BJT)

Familia / Serie: Serie 2N3638 / General Purpose & Switching PNP Transistors

Tipo de Componente: Transistor bipolar de unión PNP (PNP BJT)

Tipo de Montaje: Montaje por orificio pasante en placa de circuito impreso (Through-Hole / PCB Mount)

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Encapsulado: TO-92 (JEDEC TO-226AA) de 3 terminales

Distribución de Pines (Vista frontal con la cara plana hacia el usuario y terminales hacia abajo, de izquierda a derecha):

Pin 1: Emisor (E)

Pin 2: Base (B)

Pin 3: Colector (C)

(Nota: En variantes históricas con encapsulado metálico TO-18 / TO-39, la carcasa metálica está unida internamente al colector).

Desglose de la Nomenclatura

D: Prefijo de variante de empaque/distribución o código interno de fabricante Motorola

2N: Estándar de registro JEDEC para dispositivos semiconductores de tres terminales (transistores)

3638: Número de registro del diseño base del transistor de conmutación PNP

A: Versión mejorada con parámetros optimizados de tensión de ruptura y ganancia respecto al modelo 2N3638 estándar

Especificaciones Eléctricas Absolutas (Absolute Maximum Ratings)

Tensión Colector-Emisor (VCEO): 25 V

Tensión Colector-Base (VCBO): 25 V

Tensión Emisor-Base (VEBO): 4.0 V

Corriente Continua de Colector (IC): 0.8 A (800 mA)

Corriente de Pico de Colector (ICM): 1.0 A

Disipación Total de Potencia (PD):

A TA = 25 °C: 625 mW (0.625 W)

A TC = 25 °C: 1.5 W

Factor de Desclasificación Térmica: 5.0 mW/°C por encima de 25 °C

Características Eléctricas y Parámetros Dinámicos

Ganancia de Corriente Continua (hFE):

Mínimo 30 (a IC = 10 mA, VCE = 10 V)

Mínimo 30 a 100 (a IC = 50 mA, VCE = 1.0 V)

Mínimo 20 (a IC = 300 mA, VCE = 1.0 V)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)):

Máximo 0.25 V (a IC = 50 mA, IB = 2.5 mA)

Máximo 0.70 V (a IC = 300 mA, IB = 30 mA)

Tensión de Saturación Base-Emisor (VBE(sat)): Máximo 1.1 V (a IC = 300 mA, IB = 30 mA)

Corriente de Corte de Colector (ICBO): Máximo 0.1 µA (100 nA a VCB = 15 V)

Frecuencia de Transición (fT): Mínimo 100 MHz (a IC = 50 mA, VCE = 10 V, f = 100 MHz)

Capacidad de Salida (Cobo): Máximo 20 pF (a VCB = 10 V, f = 1.0 MHz)

Tiempo de Almacenamiento (ts): Típico menor a 60 ns

Tiempo de Caída / Desconexión (tf): Típico menor a 50 ns

Construcción Mecánica y Dimensiones

Encapsulado / Formato: TO-92 plástico termoestable autoextinguible (UL 94V-0)

Longitud del Cuerpo: Aprox. 4.5 mm a 5.0 mm

Anchura del Cuerpo: Aprox. 4.5 mm a 5.2 mm

Espesor / Profundidad: Aprox. 3.5 mm a 4.2 mm

Longitud de los Pines: Aprox. 12.7 mm a 14.5 mm

Peso Aproximado: Aprox. 0.2 g

Condiciones Ambientales y Térmicas

Rango de Temperatura de Operación en la Unión (Tj): -55 °C a +150 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Resistencia Térmica Unión-Ambiente (Rthj-a): Aprox. 200 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rthj-c): Aprox. 83.3 °C/W

Normativas y Homologaciones: Registro estándar JEDEC, directiva RoHS (versiones libres de plomo)

Conmutación saturada de alta y media velocidad para circuitos lógicos discretos.

Controladores de línea (line drivers) y excitadores para relés miniatura, bobinas y solenoides de hasta 800 mA.

Etapas excitadoras (pre-drivers) en inversores y amplificadores complementarios push-pull de audio junto a su contraparte NPN.

Modulación y conmutación de indicadores luminosos, lámparas de filamento y matrices de LEDs.

Circuitos de regulación de polarización y corte en fuentes de alimentación lineales y estabilizadores.