- On request
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Silicon NPN Power Transistor
Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V(BR)CEO=200 V (min)
Collector-Emitter Saturation Voltage-
VCE(sat)= 0.6 V (Max) @ Ic = 2 A
High Switching Speed
Application
Designed for LF signal power amplifier