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BDY27
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Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon NPN Power Transistor
- Collector-Emitter Breakdown Voltage-
- V(BR)CEO=200 V (min)
- Collector-Emitter Saturation Voltage-
- VCE(sat)= 0.6 V (Max) @ Ic = 2 A
- High Switching Speed
Aplications
- Application
- Designed for LF signal power amplifier
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Références spécifiques
- MPN
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