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Features
Silicon NPN Power Transistor
Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V(BR)CEO=200 V (min)
Collector-Emitter Saturation Voltage-
VCE(sat)= 0.6 V (Max) @ Ic = 2 A
High Switching Speed
Aplications
Application
Designed for LF signal power amplifier
BDY27
Références spécifiques
- MPN
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