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GT60M323
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GT60M323
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT
- Fearures
- Enhancement-Mode type
- High Speed : tf=0.09us (typ.) (Ic=60A)
- Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.3V (typ.) (Ic = 60A)
- FRD included between Emitter and Collector
- TO-3P(LH) (Toshiba package name)
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
Toshiba Semiconductor
Toshiba
GT60M323
Semiconductor
GT60M323
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- GT60M323
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