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MG150J2YS50

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG150J2YS50

150A/600V/2U

MITSUBISHI

Delivery time : 1-2 semanas.

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

The Electrodes are Isolated from case

High input impedance

Includes a complete half bridge in

one package

Enhancement-mode

High speed :

tf=0.30us (Max.) (IC = 150A)

trr = 0.15us (Max.) (IC = 150A)

Low saturation voltage :

VCE(sat) = 2.70V (Max.) (IC = 150A)

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG150J2YS50

IGBT 150A 600V DUAL

MITSUBISHI
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Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
MG150J2YS50
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