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MG150J2YS50
64,40 $
steuerfrei
MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG150J2YS50150A/600V/2U
MITSUBISHI
Delivery time : 1-2 semanas.
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- The Electrodes are Isolated from case
- High input impedance
- Includes a complete half bridge in
- one package
- Enhancement-mode
- High speed :
- tf=0.30us (Max.) (IC = 150A)
- trr = 0.15us (Max.) (IC = 150A)
- Low saturation voltage :
- VCE(sat) = 2.70V (Max.) (IC = 150A)
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG150J2YS50
IGBT 150A 600V DUAL
MG150J2YS50
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- MG150J2YS50
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