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MG150J2YS50
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG150J2YS50150A/600V/2U
MITSUBISHI
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Delivery policy
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
The Electrodes are Isolated from case
High input impedance
Includes a complete half bridge in
one package
Enhancement-mode
High speed :
tf=0.30us (Max.) (IC = 150A)
trr = 0.15us (Max.) (IC = 150A)
Low saturation voltage :
VCE(sat) = 2.70V (Max.) (IC = 150A)
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG150J2YS50
IGBT 150A 600V DUAL
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