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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMP6752

20A/600V/6U

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Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

The electrodes are isolated from case

6 IGBTs are built into 1 package

Enhancement-mode

Low saturation voltage :

VCE(sat) = 4.0 V (Max.) (IC = 20A)

High speed :

tf = 0.35us (Max.) (IC = 20A)

trr = 0.15us (Max.) (IF = 20A)

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor control

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Referencias específicas

MPN
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