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MG600Q1US51
133,88 $
Sin impuestos
MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG600Q1US51600A/1200V/1U
No Identificado
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High input impedance
High speed :
tf=0.3us (Max.) @ Inductive load
Low saturation voltage :
VCE(sat) = 3.6 V (Max.)
Enhancement-mode
Includes a complete half bridge in
one package
The electrodes are isolated from case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG600Q1US51
IGBT 600A 1200V SINGLE
MG600Q1US51
Referencias específicas
- MPN
- MG600Q1US51
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