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MG100J2YS1
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG100J2YS1100A/600V/2U
No Identificado
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
High Speed : tf=0.35us (Max) trr=0.25us (Max)
Low Saturation Voltage : VCE(sat)=4.0V (Max)
Enhancement-Mode
Includes a Complete Half Bridge in one package
The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG100J2YS1
IGBT 100A 600V DUAL
MG100J2YS1
Referencias específicas
- MPN
- MG100J2YS1
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